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    描述:
    6000-0F06-11001  6000-0LD2-11001  6000-0DE3-11001  6000-0NE1-11001  6000-0NB3-11001  6000-0ND2-11001  6000-0SD6-11001  6000-0NC1-11001  6000-0SD5-11001  6000-0LD1-11001  
    SI5935DC-T1-E3  (MOSFET 2P-CH 20V 3A 1206-8)
    .型号:   SI5935DC-T1-E3
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    描述:
    MOSFET 2P-CH 20V 3A 1206-8
    文件大小 :   228 K    
    页数 : 10 页
    Logo:   
    品牌   VECTRON [ Vectron International, Inc ]
    购买 :   
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    100%
    Si5935DC
    Vishay Siliconix公司
    双P沟道1.8 V (G -S )的MOSFET
    产品概述
    V
    DS
    (V)
    - 20
    R
    DS ( ON)
    (Ω)
    0.086在V
    GS
    = - 4.5 V
    0.121在V
    GS
    = - 2.5 V
    0.171在V
    GS
    = - 1.8 V
    I
    D
    (A)
    - 4.1
    - 3.4
    - 2.9
    特点
    ?
    无卤符合IEC 61249-2-21
    德网络nition
    ? TrenchFET
    ?
    功率MOSFET
    ?低R
    DS ( ON)
    双和出色的动力
    处理这种紧凑型
    ?符合RoHS指令2002/95 / EC
    1206-8 ChipFET
    ?
    1
    S
    1
    D
    1
    D
    1
    D
    2
    D
    2
    G
    1
    S
    2
    G
    2
    应用
    - 负荷开关
    ? PA的开关
    - 电池开关
    标识代码
    DF XX
    很多可追溯性
    和日期代码
    零件编号代码
    S
    1
    S
    2
    G
    1
    G
    2
    底部视图
    D
    1
    订货信息:
    Si5935DC -T1 -E3 (铅(Pb ) - 免费)
    Si5935DC -T1- GE3 (铅( Pb),并且无卤素)
    P沟道MOSFET
    D
    2
    P沟道MOSFET
    绝对最大额定值
    T
    A
    = 25 ℃,除非另有说明
    参数
    漏源电压
    栅源电压
    连续漏电流(T
    J
    = 150 °C)
    a
    漏电流脉冲
    连续源电流(二极管传导)
    a
    最大功率耗散
    a
    工作结存储温度范围
    焊接建议(峰值温度)
    B,C
    T
    A
    = 25 °C
    T
    A
    = 85 °C
    T
    A
    = 25 °C
    T
    A
    = 85 °C
    符号
    V
    DS
    V
    GS
    I
    D
    I
    DM
    I
    S
    P
    D
    T
    J
    , T
    英镑
    - 1.8
    2.1
    1.1
    - 55? 150
    260
    - 4.1
    - 2.9
    - 15
    - 0.9
    1.1
    0.6
    W
    °C
    5s
    ±8
    -3
    - 2.2
    A
    稳定状态
    - 20
    单位
    V
    热电阻额定值
    参数
    最大结点到环境
    a
    最大结到脚(漏极)
    t
    5s
    稳定状态
    稳定状态
    符号
    R
    thJA
    R
    thJF
    典型
    50
    90
    30
    最大
    60
    110
    40
    ° C / W
    单位
    注意事项:
    一。表面安装在1" X 1" FR4板。
    B 。见可靠性手册资料。该ChipFET是无铅封装。引线端子的端部露出的铜(未镀) ,结果
    在制造单片化过程。的焊料圆角在暴露的铜尖不能得到保证,并且不要求保证
    充足的底侧焊接互连。
    ? 。返工条件:手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
    文档编号: 72220
    S10-0936 -REV 。 C, 19 -APR- 10
    www.vishay.com
    1
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