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    描述:
    HDSP-A803-IF000  HDSP-A803-GG000  HDSP-A803-DM000  HDSP-A803-DF000  HDSP-A803-I0000  HDSP-A803-IE000  HDSP-A801-QK000  HDSP-A803-EI000  HDSP-A803-DI000  HDSP-A801-PK000  
    SACB5.0  ()
    .型号:   SACB5.0
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    描述:
    文件大小 :   492 K    
    页数 : 4 页
    Logo:   
    品牌   UNSEMI [ UN Semiconducctor INC ]
    购买 :   
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    100%
    表面贴装瞬态电压抑制器( TVS )
    SACB系列
    描述
    The SACB series is designed specifically to protect sensitive electronic
    从感应雷击和其他瞬态电压瞬变设备
    电压事件。
    5.0 To 50 V
    500W
    低电容
    单向
    特点
    u
    u
    u
    u
    u
    u
    玻璃钝化芯片
    500W峰值脉冲功率能力为10 / 1000μs波,
    repetitive rate (duty cycle): 0.01%
    低漏
    出色的钳位能力
    非??斓南煊κ奔?/div>
    符合RoHS
    应用
    TVS器件非常适合用于I / O接口,V?;?/div>
    CC
    bus and other
    vulnerable circuits used in Telecom, Computer, Industrial and Consumer
    电子应用。
    最大额定值
    (T
    A
    = 25℃除非另有说明)
    参数
    符号
    P
    PPM
    I
    PP
    P
    M( AV)在
    T
    J
    , T
    英镑
    价值
    500
    看下表
    3.0
    -55到+150
    单位
    安培
    °C
    峰值脉冲功率耗散了10 / 1000μs波
    (1)
    Peak Pulse Current with a 10/1000μs waveform.(Fig.2)
    (1)
    在无限散热器在T功耗
    L
    =75°C (Fig.2)
    工作结存储温度范围
    注意事项:
    1. Non-repetitive current pulse , per Fig. 3 and derated above TA= 25°C per Fig. 2
    电气特性
    (T
    A
    = 25℃除非另有说明)
    击穿
    电压V
    BR
    @I
    T
    =1.0mA
    (V)
    最大
    反向
    泄漏
    I
    R
    @V
    RWM
    (μA)
    最大
    夹紧
    电压
    V
    C
    @I
    PP
    (V)
    最大
    PEAK
    脉冲
    当前
    I
    PP
    (A)
    最大
    连接点
    电容
    @0V
    (PF )
    工作
    闭塞
    电压
    V
    WIB
    (V)
    闭塞
    泄漏
    当前
    I
    IB
    @V
    WIB
    (MA )
    PEAK
    电压
    V
    PIB
    (V)
    部分
    设备
    记号
    CODE
    反向
    对峙
    电压
    V
    RWM
    (V)
    SACB5.0
    SACB6.0
    SACB7.0
    SACB8.0
    SACB8.5
    SACB10
    SACB12
    SACB15
    SACB18
    SACB22
    SACB26
    SACB30
    SACB36
    SACB45
    SACB50
    SAD
    SAE
    SAF
    SAG
    SAH
    SAK
    SAL
    SAM
    SAP
    SAQ
    特区
    SAS
    SAT
    SAU
    5.0
    6.0
    7.0
    8.0
    8.5
    10.0
    12.0
    15.0
    18.0
    22.0
    26.0
    30.0
    36.0
    45.0
    50.0
    7.60
    7.90
    8.33
    8.89
    9.44
    11.10
    13.30
    16.67
    20.00
    24.40
    28.90
    33.30
    40.00
    50.00
    55.50
    300
    300
    300
    100
    50
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    10.0
    11.2
    12.6
    13.4
    14.0
    16.3
    19.0
    23.6
    28.8
    35.4
    42.3
    48.6
    60.0
    77.0
    88.0
    44.0
    41.0
    38.0
    36.0
    34.0
    29.0
    25.0
    20.0
    15.0
    14.0
    11.1
    10.0
    8.6
    6.8
    5.8
    45
    45
    45
    45
    45
    45
    45
    45
    45
    45
    45
    45
    45
    45
    45
    75
    75
    75
    75
    75
    75
    75
    75
    75
    75
    75
    75
    75
    150
    150
    1
    1
    1
    1
    1
    1
    1
    1
    1
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    1
    1
    1
    1
    1
    100
    100
    100
    100
    100
    100
    100
    100
    100
    100
    100
    100
    100
    200
    200
    联合国半导体有限公司
    调整
    2013年10月18日
    1/4
    @联合国半导体有限公司2013
    特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
    请参考www.unsemi.com.tw的最新信息。
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