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    描述:
    SMDCHR1210-4R7  SMDCHR1008-R91  SMDCHXXXX  SMDCHR1008-R27  SMDCHR1210-2R2  SMDCHR1008-82N  SMDFS1008-3R9  SMDCHR1008-18N  SMDCHR1210-3R3  SMDCHR1008-R33  
    3KP5.0  ()
    .型号:   3KP5.0
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    描述:
    文件大小 :   648 K    
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    品牌   UNSEMI [ UN Semiconducctor INC ]
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    100%
    轴向引线瞬态电压抑制器( TVS )
    3KP系列
    描述
    The 3KP series is designed specifically to protect sensitive electronic
    从感应雷击和其他瞬态电压瞬变设备
    电压事件。
    5.0 To 190 V
    3000W
    单向
    双向
    特点
    u
    u
    u
    u
    u
    u
    u
    u
    u
    u
    u
    u
    u
    u
    u
    u
    u
    Glass passivated chip junction in P600 Package
    低漏
    单向和双向单元
    出色的钳位能力
    3000W Peak power capability at 10
    ×
    1000μs waveform Repetition
    rate (duty cycle):0.01%
    快速响应时间:通常小于1.0ps从0伏特至V
    BR
    典型的我
    R
    less than 5μA above 12V.
    高温焊接: 260 ℃/ 40秒码头
    典型的最大温度系数
    ΔV
    BR
    = 0.1%
    ×
    V
    BR
    @25°C×
    ΔT
    塑料包装有保险商实验室可燃性94V- 0
    雾锡无铅电镀
    无卤素,符合RoHS标准
    典型的故障模式是短距离超过规定的电压或电流
    晶须测试是根据每个表的JEDEC JESD201A进行
    图4a和4c中
    IEC- 61000-4-2 ESD 15kV的(空气) ,具有8kV(接触)
    数据线,符合IEC 61000-4-2 ESD?;?/div>
    (IEC801-2)
    数据线,符合IEC 61000-4-4 EFT?;?/div>
    (IEC801-4)
    工作原理图
    双向
    阴极
    单方向
    阳极
    应用
    TVS器件非常适合用于I / O接口,V?;?/div>
    CC
    bus and other
    vulnerable circuits used in Telecom, Computer, Industrial and Consumer
    电子应用。
    最大额定值(T
    A
    = 25℃除非另有说明)
    参数
    峰值脉冲功率耗散了10 / 1000μs波形(图1 ) (注
    1 ) , (注2 )
    峰值脉冲电流为10 / 1000μs波形。 (注1 ,图3 )
    在无限散热器在T功耗
    L
    =75°C
    峰值正向浪涌电流, ??8.3ms单半正弦波(注3 )
    最大正向电压在25A单向的,只有
    (注4 )
    工作结温和存储温度范围。
    符号
    P
    PPM
    I
    PP
    P
    M( AV)在
    I
    FSM
    V
    F
    T
    J
    , T
    英镑
    价值
    3000
    看下表
    6.5
    300
    3.5/5.0
    -55到+150
    单位
    安培
    安培
    电压
    °C
    注意事项:
    1.非重复性电流脉冲,每个图。 3及以上的牛逼降额
    A
    = 25 ℃,每图。 2 。
    2.安装在5.0毫米X 5.0毫米( 0.03毫米厚)铜焊盘到每个终端。
    3. 8.3ms单半正弦波,或等效的方波,占空比= 4个脉冲每分钟最多。
    4. V
    F
    < 3.5V为V
    BR
    < 200V和V
    F
    < 6.5V为V
    BR
    > 201V 。
    联合国半导体有限公司
    调整
    2013年10月18日
    1/6
    @联合国半导体有限公司2013
    特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
    请参考www.unsemi.com.tw的最新信息。
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