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    型号:  
    描述:
    ESM4007  ESMH100VSN473MA30S  ESMH100VSN273MQ35S  ESMH100VQT154MB63T  ESMH100VSN153MP30T  ESMH100VSN183MQ25T  ESMH100VSN473MA30T  ESMH100VSN273MP45T  ESMH100VSN563MA35S  ESM1B  
    CSD17571Q2 30V N通道NexFET功率MOSFET (30V N-Channel NexFET Power MOSFETs)
    .型号:   CSD17571Q2
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    描述: 30V N通道NexFET功率MOSFET
    30V N-Channel NexFET Power MOSFETs
    文件大小 :   908 K    
    页数 : 11 页
    Logo:   
    品牌   TI [ TEXAS INSTRUMENTS ]
    购买 :   
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    100%
    SLPS393 - 2013年10月
    30V N通道NexFET ?功率MOSFET
    检查样品:
    1
    特点
    低Q
    g
    和Q
    gd
    低热阻
    额定雪崩
    无铅端子电镀
    符合RoHS
    无卤
    SON 2毫米×2毫米的塑料包装
    产品概述
    V
    DS
    Q
    g
    Q
    gd
    R
    DS ( ON)
    V
    GS ( TH)
    漏源极电压
    栅极电荷总数( 4.5 V )
    栅极电荷栅漏
    漏极至源极导通电阻
    阈值电压
    30
    2.4
    0.6
    V
    GS
    = 4.5 V
    V
    GS
    = 10 V
    1.6
    24
    20
    V
    nC
    nC
    V
    ?
    ?
    ?
    ?
    ?
    ?
    ?
    2
    订购信息
    设备
    CSD17571Q2
    SON 2毫米×2毫米
    塑料包装
    媒体
    7-Inch
    REEL
    数量
    3000
    磁带和
    REEL
    应用
    ?
    ?
    ?
    优化负载开关应用
    存储,平板电脑和手持设备
    优化控制FET应用
    绝对最大额定值
    T
    A
    = 25°C
    价值
    30
    ±20
    22
    7.6
    单位
    V
    V
    A
    A
    A
    W
    °C
    mJ
    描述
    这30V , 20MΩ , Son2x2 NexFET?功率MOSFET
    已被设计为最小化功率损耗
    转化率和负载管理应用程序,而
    对于规模提供了出色的散热性能
    该程序包。
    顶视图
    D
    1
    D
    6
    D
    V
    DS
    V
    GS
    I
    D
    I
    DM
    P
    D
    T
    J
    ,
    T
    英镑
    E
    AS
    漏源极电压
    栅极至源极电压
    连续漏电流(套餐限制)
    连续漏电流
    功耗
    工作结存储
    温度范围
    雪崩能量,单脉冲
    I
    D
    = 12 A,L = 0.1 mH的,R
    G
    = 25
    Ω
    漏电流脉冲,T
    A
    = 25°C
    39
    2.5
    -55到150
    7.2
    (1) R
    θJA
    = 50的1in2铜(2盎司)对0.060"厚的FR4 PCB
    D
    2
    5
    D
    (2)脉冲持续时间10
    μs,
    占空比
    ≤2%
    G
    3
    S
    4
    S
    P0108-01
    50
    R
    DS
    (
    on
    )
    - 通态电阻(mΩ )
    46
    42
    38
    34
    30
    26
    22
    18
    14
    10
    0
    2
    4
    R
    DS ( ON)
    VS V
    GS
    V
    GS
    - 栅极 - 源极电压( V)
    T
    C
    = 25 ° C,I
    D
    = 5A
    T
    C
    ≤ 125 ° C,I
    D
    = 5A
    栅极电荷
    10
    9
    8
    7
    6
    5
    4
    3
    2
    1
    0
    0
    0.5
    1
    1.5
    2 2.5 3 3.5 4
    Q
    g
    - 栅极电荷( NC)
    4.5
    5
    5.5
    G001
    I
    D
    = 5A
    V
    DS
    =15V
    6
    8
    10
    12
    14
    16
    V
    GS
    - 栅极 - 源极电压(V)
    18
    20
    G001
    1
    2
    请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
    德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
    的NexFET是德州仪器的商标。
    版权所有? 2013年,德州仪器
    PRODUCTION数据信息为出版日期。
    产品符合占德州条款规范
    仪器标准保修。生产加工过程中不
    不一定包括所有参数进行测试。
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