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    描述:
    MURF2020CTR  (20.0 Ampere Insulated Common Anode Ultra Fast Recovery Diodes)
    .型号:   MURF2020CTR
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    描述:
    20.0 Ampere Insulated Common Anode Ultra Fast Recovery Diodes
    文件大小 :   610 K    
    页数 : 2 页
    Logo:   
    品牌   THINKISEMI [ Thinki Semiconductor Co., Ltd. ]
    购买 :   
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    MURF2020CTR thru MURF2060CTR
    ?
    Pb
    MURF2020CTR thru MURF2060CTR
    无铅电镀产品
    20.0 Ampere Insulated Common Anode Ultra Fast Recovery Diodes
    特点
    快速开关的高效率
    低正向压降
    高电流能力
    低反向漏电流
    高浪涌电流能力
    应用
    ITO-220AB
    .112(2.85)
    .100(2.55)
    .272(6.9)
    .248(6.3)
    .406(10.3)
    .381(9.7)
    .134(3.4)
    .118(3.0)
    单位:英寸(毫米)
    .189(4.8)
    .165(4.2)
    .130(3.3)
    .114(2.9)
    机械数据
    Case: Insulated/Isolated ITO-220AB
    环氧树脂: UL 94V- 0率阻燃
    Terminals: Solderable per MIL-STD-202 method 208
    极性:上标明二极管体
    安装位置:任意
    重量: 2.2克约
    .055(1.4)
    .039(1.0)
    .035(0.9)
    .011(0.3)
    .1
    (2.55)
    .1
    (2.55)
    .161(4.1)MAX
    .543(13.8)
    .512(13.0)
    车载逆变器/太阳能逆变器
    电镀电源,开关电源和UPS
    汽车音响放大器和声音设备系统
    .606(15.4)
    .583(14.8)
    .071(1.8)
    .055(1.4)
    .114(2.9)
    .098(2.5)
    .032(.8)
    最大
    积极
    共阴极
    后缀"CT"
    共阳极
    后缀"CTR"
    极性串联
    后缀"CTD"
    最大额定值和电气特性
    等级25
    o
    C
    环境温度,除非另有规定。
    单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
    对于容性负载,减免电流20 % 。
    MURF2020CT
    符号
    MURF2020CTR MURF2040CTR MURF2060CTR
    单位
    MURF2040CT
    MURF2060CT
    MURF2020CTD MURF2040CTD MURF2060CTD
    最大的经常峰值反向电压
    最大RMS电压
    最大直流阻断电压
    最大正向平均整流网络版
    电流T
    C
    =125
    C
    峰值正向浪涌电流, ??8.3ms单
    半正弦波叠加在额定负荷
    ( JEDEC的方法)
    最大正向电压
    @ 10.0 A
    反向电流最大DC @T
    J
    =25
    C
    在额定阻断电压DC @T
    J
    =125
    C
    最大反向恢复时间(注1 )
    典型结电容(注2 )
    工作结存储
    温度范围
    o
    o
    o
    V
    RRM
    V
    RMS
    V
    DC
    IF
    (AV)
    200
    140
    200
    400
    280
    400
    20.0
    600
    420
    600
    V
    V
    V
    A
    I
    FSM
    200
    175
    A
    V
    F
    I
    R
    TRR
    C
    J
    T
    J
    , T
    英镑
    0.98
    1.3
    10.0
    250
    35
    1.7
    V
    uA
    uA
    nS
    120
    -55到+150
    70
    pF
    o
    C
    注: ( 1 )反向恢复测试条件我
    F
    = 0.5A ,我
    R
    = 1.0A , IRR = 0.25A 。
    ( 2 )测得1.0 MHz和应用4.0伏特的直流反向电压。
    Rev.04/2014
    ?2006 Thinki半导体有限公司。
    第1/2页
    //www.thinkisemi.com/
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