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    描述:
    5082-N105-GF000  5082-N105-HH000  AD4016M166RTA-5  5082-N106-GD000  5082-N106-EB000  5082-N106-CC000  5082-N105-IG000  5082-N106-CH000  5082-N106-AE000  5082-N106-ID000  
    F20C20A 20.0安培双共阳极快恢复整流二极管 (20.0 Ampere Dual Common Anode Fast Recovery Rectifier Diode)
    .型号:   F20C20A
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    描述: 20.0安培双共阳极快恢复整流二极管
    20.0 Ampere Dual Common Anode Fast Recovery Rectifier Diode
    文件大小 :   600 K    
    页数 : 2 页
    Logo:   
    品牌   THINKISEMI [ Thinki Semiconductor Co., Ltd. ]
    购买 :   
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    F20C20A thru F20C60A
    F20C20A thru F20C60A
    无铅电镀产品
    20.0安培双共阳极快恢复整流二极管
    特点
    快速开关的高效率
    低正向压降
    高电流能力
    低反向漏电流
    高浪涌电流能力
    应用
    TO-220AB
    .419(10.66)
    .387(9.85)
    .139(3.55)
    ?
    Pb
    单位:英寸(毫米)
    .196(5.00)
    .163(4.16)
    .054(1.39)
    .045(1.15)
    .269(6.85)
    .226(5.75)
    .624(15.87)
    .50(12.7)MIN
    .038(0.96)
    .019(0.50)
    .177(4.5)MAX
    车载逆变器/太阳能逆变器
    电镀电源,开关电源和UPS
    汽车音响放大器和声音设备系统
    .548(13.93)
    .025(0.65)MAX
    机械数据
    案例:散热片的TO- 220AB
    环氧树脂: UL 94V- 0率阻燃
    Terminals: Solderable per MIL-STD-202 method 208
    极性:上标明二极管体
    安装位置:任意
    重量: 2.2克约
    .1(2.54)
    .1(2.54)
    积极
    共阴极
    后缀"C"
    共阳极
    后缀"A"
    极性串联
    后缀"D"
    最大额定值和电气特性
    等级25
    C
    环境温度,除非另有规定。
    单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
    对于容性负载,减免电流20 % 。
    o
    符号
    最大的经常峰值反向电压
    最大RMS电压
    最大直流阻断电压
    最大正向平均整流网络版
    电流T
    C
    =125
    C
    峰值正向浪涌电流, ??8.3ms单
    半正弦波叠加在额定负荷
    ( JEDEC的方法)
    最大正向电压
    @ 10.0 A
    反向电流最大DC @T
    J
    =25
    C
    在额定阻断电压DC @T
    J
    =125
    C
    最大反向恢复时间(注1 )
    典型结电容(注2 )
    工作结存储
    温度范围
    o
    o
    o
    F20C20C
    F20C20A
    F20C20D
    200
    140
    200
    F20C40C
    F20C40A
    F20C40D
    400
    280
    400
    20.0
    F20C60C
    F20C60A
    F20C60D
    600
    420
    600
    单位
    V
    V
    V
    A
    V
    RRM
    V
    RMS
    V
    DC
    IF
    (AV)
    I
    FSM
    200
    175
    A
    V
    F
    I
    R
    TRR
    C
    J
    T
    J
    , T
    英镑
    0.98
    1.3
    10.0
    250
    35
    1.7
    V
    uA
    uA
    nS
    120
    -55到+150
    70
    pF
    o
    C
    注: ( 1 )反向恢复测试条件我
    F
    = 0.5A ,我
    R
    = 1.0A , IRR = 0.25A 。
    ( 2 )测得1.0 MHz和应用4.0伏特的直流反向电压。
    Rev.04/2014
    ?2006 Thinki半导体有限公司。
    第1/2页
    //www.thinkisemi.com/
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