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    型号:  
    描述:
    2N4392_TO-18  2N4392CSM  2N4392  BC239  2N4392CSM_03  MAX810RTR  2N4367  2N4391_TO-18  2N4366  BC319  
    HV-T70  (5mA 6kV 80nS-HIGH VOLTAGE DIODES)
    .型号:   HV-T70
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    描述:
    5mA 6kV 80nS-HIGH VOLTAGE DIODES
    文件大小 :   477 K    
    页数 : 2 页
    Logo:   
    品牌   HVGT [ GETAI ELECTRONIC DEVICE CO.,LTD ]
    购买 :   
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    100%
    HV-T70
    5mA 6.0kV 80nS-HIGH VOLTAGE DIODE
    High reliability resin molded type high voltage diode
    in small size package which is sealed a multilayed
    台面型硅芯片通过环氧树脂。
    外形图:
    特点
    高速开关
    Epoxy resin molded in vacuum,
    Have anticorrosion in the surface
    高浪涌电阻率的CRT放电
    高可靠性设计
    雪崩特性
    应用
    X光电源
    激光
    倍压电路
    微波发射功率
    General purpose high voltage rectifier,
    Voltage multiplier assembly.
    DO-208 Series
    Lead Diameter 0.6mm
    2.5mm
    26mm
    8.0mm
    最大额定值和特性
    绝对最大额定值
    重复峰值电压Renerse
    平均输出电流
    Suege电流
    结温
    允许工作温度案例
    储存温度
    符号
    V
    RRM
    I
    O
    I
    FSM
    T
    j
    Tc
    T
    英镑
    Ta=25°C,
    TA = 25 ℃时,电阻性负载
    Ta=25°C,8.3 ms
    条件
    T7
    HV-T70
    6.0
    5.0
    0.5
    125
    125
    -40到+125
    0
    单位
    kV
    mA
    A
    PEAK
    °C
    °C
    °C
    电气特性(Ta = 25 ° C除非另有说明)
    最大正向电压降
    最大反向电流
    符号
    V
    F
    IR
    1
    IR
    2
    最大反向恢复时间
    结电容
    GETE ELECTRONIC CO.,LTD
    GUANGZHOU * CHINA
    条件
    在25℃下,我
    F
    =I
    F( AV )
    在25℃ ,V
    R
    =V
    RRM
    在100℃下,V
    R
    =V
    RRM
    at 25°C; I
    F
    =2mA;
    I
    R
    =4mA;
    I
    rr
    =1mA;
    HV-T70
    24
    2.0
    5.0
    80
    1.0
    单位
    V
    uA
    uA
    nS
    pF
    TRR
    Cj
    at 25°C; V
    R
    =0V,f=1MHz
    E-mail: [email protected]
    4001 83 84 85
    China Tel:
    n
    n
    Tel: 0086-20-8184 9628
    Fax: 0086-20-8184 9638
    n
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